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IRF6631中文资料

IRF6631图片

IRF6631外观图

  • 大小：240.74KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：DirectFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：18 ns
  • 典型接通延迟时间：15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：12 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds：1450 pF V @ 15
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：3.95mm
  • 封装类型：DirectFET SQ
  • 尺寸：3.95 x 3.95 x 0.59mm
  • 引脚数目：6
  • 最低工作温度：-40 °C
  • 最大功率耗散：2200 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：30 V
  • 最大漏源电阻值：0.008
  • 最大连续漏极电流：13 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：四漏极、单
  • 长度：3.95mm
  • 高度：0.59mm

IRF6631供应商

更新时间:2023-01-02 18:32:11
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